[동정] 김시준 교수 연구팀, Semiconductor Science and Technology 논문 게재
- 작성자 전기전자공학과
- 작성일 2026.10.19
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강원대학교 전기전자공학과 김시준 교수 연구팀의 연구 결과가 SCIE급 국제학술지 Semiconductor Science and Technology에 게재되었다. 본 논문은 강원대학교 전기전자공학과 이호민 대학원생(지도교수 김시준)이 공동 제1저자로 참여하였으며, 강원대학교 반도체물리학과 연구팀과의 공동연구로 수행되었다.
연구팀은 차세대 디스플레이 및 전자소자에 활용되는 비정질 인듐–갈륨–아연 산화물(IGZO) 박막 트랜지스터에서 양의 게이트 전압 인가에 따른 문턱전압 변화의 원인을 분석하였다. 그 결과, 분석한 소자에서는 반도체층 자체의 열화보다 이산화규소(SiO₂) 게이트 절연막 내 전자 포획이 문턱전압 변화의 주된 원인임을 확인하였다. 특히 전기적 특성 측정과 화학적·전자구조 분석을 종합하여 반도체층과 절연막의 영향을 구분하고, 소자 신뢰성 확보를 위한 절연막 내 전하 포획 제어의 중요성을 제시하였다.
이번 연구는 산화물 반도체 기반 차세대 디스플레이 및 전자소자의 동작 안정성과 신뢰성 향상을 위한 소재·공정 기술 개발에 기초자료를 제공할 것으로 기대된다.