전기전자공학과

KANGWON NATIONAL UNIVERSITY

강원대학교 전기전자공학과 김시준 교수 연구팀의 연구 결과가 SCIE급 국제학술지 physica status solidi (a)에 게재되었다.

본 논문은 강원대학교 전기전자공학과 석사과정 졸업생인 박성빈 동문(지도교수 김시준)이 제1저자로 참여하였으며, 미국 The University of Texas at Dallas 및 인하대학교 연구팀과의 공동연구로 수행되었다.

연구팀은 차세대 강유전체 메모리 소재인 Hf₀.₅Zr₀.₅O₂(HZO) 커패시터의 열처리 승온 속도가 강유전 특성과 신뢰성에 미치는 영향을 분석하였다. 

그 결과, 빠른 승온 조건에서 높은 잔류분극과 우수한 내구 특성을 확보할 수 있음을 확인하였다. 특히 빠른 승온은 강유전체 orthorhombic(o)상의 형성을 촉진하는 반면, 느린 승온에서는 비강유전체 monoclinic(m)상이 증가하는 것을 규명하였다.

이번 연구는 HZO 기반 차세대 메모리 소자의 성능 및 신뢰성 향상을 위한 저열예산 공정 기술 개발에 기초자료를 제공할 것으로 기대된다.